Ausgabe zur PRODUCTRONICA 2017

INNOVATIONEN

orschung,

Innovation

und Produkte, die kon-

sequent für die Bedürf-

nisse und die Anforde-

rungen der Kunden entwickelt

wurden und darauf abgestimmt

sind – das sind die Elemente,

aus denen intelligente Lösungen

gemacht sind.

Die Almit GmbH aus Michelstadt

steht mit ihren innovativen Löt-

drähten, Lötpasten und Flussmit-

teln genau für diese intelligenten

Lösungen. In den Forschungslabo-

ren und Technologiezentren von

Nihon Almit in Japan und in an-

deren Ländern forschen jeden Tag

zahlreiche Mitarbeiter nach neuen

Wegen und entwickeln bisher un-

bekannte Möglichkeiten, Lötpro-

zesse weiter zu perfektionieren.

Ein hervorragendes Beispiel für

intelligente Lösungen ist das neue

LFM-23 S von Almit – eine SnCuNi-

Legierung mit einer innovativen

Eisen-/Gallium- Verbindung, die

eine bis zu 5-fach längere Löt-

spitzenstandzeit garantiert. Die

Lötspitze muss weniger häufig ge-

wechselt werden und trägt so dazu

bei, die Kosten in der Produktion

deutlich zu reduzieren.

Es ist aber nicht nur die Kos-

tenreduktion allein, die LFM-23

S zu einer intelligenten Lö-

sung macht: Durch die längere

Verwendbarkeit der Lötspitze

wird auch weniger Material ver-

braucht und somit die Nach-

haltigkeit und der bewusste

Umgang mit Rohstoffen unter-

stützt.

Ein weiteres Beispiel für intel-

ligente Lösungen aus dem Hoch-

leistungs- Sortiment von Almit

ist die bekannte und hundert-

tausendfach bewährte und pa-

tentierte Legierung SJM (Strong

Joint Metal). SJM garantiert,

obwohl bleifrei und niedrig-

silberhaltig, eine überragende

Performance bei der Lötstellen-

Festigkeit.

Welche der intelligenten Lö-

sungen von Almit die richtige

ist, um Ihrer Produktion neue

Möglichkeiten und Chancen zu

eröffnen, erfahren Sie am besten

bei einem Besuch am Stand von

Almit in Halle A4, Stand 435.

Das Hochleistungssortiment von

Almit bietet für jede Aufgabe

und Anforderung die individuell

perfekte Lösung.

he mi2-factory is a Ger-

man high-tech SME with

focus on semiconductor

wafer processing. mi2-

factory has developed a novel

semiconductor doping process,

based on the proprietary, micro-

engineered energy filter for high-

energy ion implantation (EFII).

EFII enables very precise, deep.

custom-designed, depth-distribut-

ed doping profiles in any desired

semiconductor material. Custom-

ers engaged in SiC production in

particular do benefit from this

unique, high-throughput, low-cost

doping approach.

You look for an attractive in-

vestment opportunity? Come and

make your invest in our company

to secure your participation in a

highly promising, future-orientat-

ed technology! You will partici-

pate in the booming silicon car-

bide market and

you will profit

from the key role

of mi2-factory.

M i c r o e l e c -

tronic

power

devices based

on the semicon-

ductor material

silicon carbide (SiC) have superior

properties compared to devices

made of Silicon (Si). One of the key

processes during the production of

any SiC power device is the dop-

ing of the active epitaxial layer.

Unfortunately, today’s microchip

production cannot fully exploit

the advantages of SiC, since the

doping variance of the active layer

is rather high (more than 10%

doping variation for N (nitrogen)

in SiC across a 6” wafer is com-

mon). This directly translates into

negative device performance and

higher chip cost. Until recently, no

technical solutions to overcome

this problem were known, that are

scalable to production volume.

The EFII technology overcomes

the above mentioned problems in

semiconductor doping in a scal-

able manner. It especially offers

a highly-precise, flexible solution

for the doping problem in SiC;

less than 3% doping variation for

N (nitrogen) in SiC across a 6” wa-

fer can be achieved. The technolo-

gy is based on the transmission of

accelerated ions through a micro-

patterned, thin silicon membrane,

which is referred to as EFII. The

EFII manipulates the energy dis-

tribution of the formerly monoen-

ergetic ion beam into a continuous

energy distribution, allowing for

depth distributed, highly precise

and (if needed) masked doping.

The EFII technology is offered to

semiconductor power device man-

ufacturers which are in particular,

but not exclusively dealing with

silicon carbide (SiC) high-voltage

diodes, MOSFETs (metal oxide sem-

iconductor field-effect transistors)

and superjunction devices and also

to SiC substrate suppliers. Further-

more EFII is offered to high-ener-

gy ion implantation foundries, ion

beam accelerator manufacturers

and end-station manufacturers.

For all target groups technical co-

operation agreements and/or com-

mercial agreements with technical

assistance are envisaged.

Visit us between 14.-17.11.2017 on Semicon Fair at booth B1-1040 or in the Internet at www.mi2-factory.com!

Halle A4, Stand 435

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Hall B1

Stand 1040